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  • 型号: SI4916DY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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SI4916DY-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4916DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4916DY-T1-E3价格参考。VishaySI4916DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(半桥) Mosfet 阵列 30V 10A,10.5A 3.3W,3.5W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4916DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4916DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道(半桥)

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI4916DY-T1-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

LITTLE FOOT®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 10A,10V

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4916DY-T1-E3TR
SI4916DYT1E3

功率-最大值

3.3W,3.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A,10.5A

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