ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI4913DY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4913DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4913DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4913DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4913DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 7.1A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4913DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4913DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4913DY-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列，属于晶体管 - FET，MOSFET - 阵列类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理 - 负载开关：适用于便携式设备中的负载开关应用，能够实现快速、高效的电源切换。 - DC-DC转换器：可用于降压或升压转换器电路中，作为功率开关以提高效率和稳定性。 - 电池保护：在电池管理系统中，用于控制充电和放电路径，防止过流或短路。 2. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中用于切换不同的输入信号源，提供低噪声和高保真的信号传输。 - 数据线路切换：适用于USB、UART等数据接口的信号切换，确保信号完整性和低损耗。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源分配和信号路由，支持小型化设计和高效能耗管理。 - 可穿戴设备：因其低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸（TSSOP），非常适合空间受限的应用。 4. 工业控制 - 电机驱动：可用于小型直流电机的驱动和控制，提供精确的速度调节和方向切换。 - 传感器接口：在工业自动化系统中，用于传感器信号的隔离和放大。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频功放和其他子系统的电源管理。 - LED驱动：控制车内外LED灯的亮度和开关，具有快速响应和低功耗特性。 特性优势： - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提升效率。 - 小型封装（TSSOP）：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 - 高可靠性：满足各种严苛环境下的稳定运行需求。 综上，SI4913DY-T1-GE3广泛应用于需要高效电源管理和信号切换的场景，特别适合对体积和功耗有严格要求的电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4913DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4913DY-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.1A |
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