ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI4913DY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI4913DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4913DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4913DY-T1-E3价格参考。VishaySI4913DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 7.1A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4913DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4913DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4913DY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于多种电子设备和电路设计中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：SI4913DY-T1-E3 可用于控制电源通断，实现高效负载切换。它具有低导通电阻（Rds(on)），能够减少功率损耗，适用于便携式设备、消费电子产品和通信设备。 - 电池保护：在电池管理系统中，该器件可以防止过流、短路或反向电流等问题，确保电池安全。 2. 信号切换 - 多路复用器/解复用器：由于其双通道设计，SI4913DY-T1-E3 适合用于多路信号切换，例如音频、视频或数据信号的路由选择。 - GPIO 扩展：在微控制器或 FPGA 系统中，可以用作 GPIO 引脚扩展的驱动器。 3. 电机驱动 - 小型直流电机控制：该 MOSFET 阵列可用于驱动小型直流电机，通过 PWM 调节实现速度控制。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制。 4. LED 驱动 - 背光驱动：在 LCD 显示屏或 LED 照明应用中，SI4913DY-T1-E3 可以用来调节 LED 的亮度或实现动态调光功能。 - 恒流控制：配合外围电路，可实现对 LED 的精确电流控制。 5. 通信与网络设备 - 信号隔离：在高速通信接口中，MOSFET 阵列可用作信号隔离元件，防止干扰或损坏敏感电路。 - ESD 保护：结合其他保护元件，提供静电放电防护。 6. 消费电子 - 手机和平板电脑：用于内部电源管理和外设控制。 - USB 充电端口保护：防止过压、过流和短路问题。 7. 工业自动化 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代：在需要频繁开关的应用中，MOSFET 阵列可以替代传统机械继电器，提高可靠性和寿命。 总结 SI4913DY-T1-E3 凭借其低导通电阻、小封装尺寸和双通道设计，非常适合需要高效、紧凑和可靠解决方案的应用场景。无论是消费电子、通信设备还是工业自动化领域，这款 MOSFET 阵列都能发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOICMOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71997 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4913DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4913DY-T1-E3SI4913DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 42 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Dual MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4913DY-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 350 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.1A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4913DY-E3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
