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  • 型号: SI4909DY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4909DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4909DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4909DY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4909DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4909DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOMOSFET 40V 8A DUAL PCH

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4909DY-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI4909DY-T1-GE3SI4909DY-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3.2 W

Pd-功率耗散

3.2 W

Qg-GateCharge

21.7 nC

Qg-栅极电荷

21.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

27 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

27 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

- 40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.2 V to - 2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.2 V to - 2.5 V

上升时间

9 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2000pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

63nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

27 毫欧 @ 8A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4909DY-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

50 ns

功率-最大值

3.2W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

27 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

22 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

8 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A

系列

SI4909DY

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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