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SI4896DY-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4896DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4896DY-T1-E3价格参考¥询价-¥询价。VishaySI4896DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4896DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4896DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4896DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。以下是该型号的应用场景: 1. 电源管理 SI4896DY-T1-E3 常用于开关电源、DC-DC 转换器和线性稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在高电流应用中能够减少功率损耗,提高效率。此外,MOSFET 的快速开关特性有助于实现高效能的电源转换。 2. 电机控制 在电机驱动电路中,SI4896DY-T1-E3 可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。由于其低导通电阻和快速响应时间,能够有效降低发热,延长电机的使用寿命,并提高系统的整体性能。 3. 电池管理系统 (BMS) 该型号的 MOSFET 还适用于电池管理系统中的充放电控制。通过精确控制电流的流动,确保电池的安全和稳定运行。特别是在锂电池保护电路中,MOSFET 能够防止过充、过放和短路等问题,保障电池的安全性。 4. 负载开关 在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,SI4896DY-T1-E3 可作为负载开关使用。它能够在需要时迅速切断或接通电源,从而节省能源并保护电路免受过载或短路的影响。 5. 信号切换 在通信设备和音频处理系统中,MOSFET 可用于信号切换。其低电容和快速开关特性使得它非常适合高频信号的传输和切换,确保信号的完整性和可靠性。 6. 汽车电子 在汽车电子领域,如车载充电器、LED 照明系统和电动助力转向系统中,SI4896DY-T1-E3 的高可靠性和耐高温性能使其成为理想选择。它能够在严苛的工作环境中保持稳定的性能,确保车辆电子系统的正常运行。 总之,Vishay Siliconix 的 SI4896DY-T1-E3 具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于多种电力电子应用场景,特别适合对效率和可靠性要求较高的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOICMOSFET 80V 9.5A 3.1W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.5 A |
Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4896DY-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?71300 |
产品型号 | SI4896DY-T1-E3SI4896DY-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 16.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 16.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16.5 毫欧 @ 10A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | SI4896DY-T1-E3TR |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
功率-最大值 | 1.56W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.7A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI4896DY-E3 |