ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4894BDY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4894BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4894BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4894BDY-T1-GE3价格参考￥3.40-￥7.46。VishaySI4894BDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4894BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4894BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4894BDY-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于需要高效、低损耗开关操作的电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、降压和升压稳压器等。它能够高效地控制电流流动，减少能量损耗，提高电源系统的效率。 2. 电池管理系统 (BMS)：在电池管理系统中，SI4894BDY-T1-GE3可用于保护电池免受过充、过放和短路的影响。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低功耗，延长电池寿命。 3. 电机驱动：在小型电机驱动电路中，该MOSFET可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低导通电阻使得电机驱动更加高效。 4. 负载切换：在需要频繁切换负载的应用中，如汽车电子、工业控制系统等，SI4894BDY-T1-GE3可以实现快速、可靠的负载切换，确保系统稳定运行。 5. 通信设备：在通信设备中，如路由器、交换机等，该MOSFET可用于电源管理和信号调理电路，提供稳定的电源供应并保护敏感的通信模块。 6. 消费电子产品：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，SI4894BDY-T1-GE3可用于充电电路、背光驱动等场合，确保设备的安全性和可靠性。 7. 便携式设备：对于便携式设备，如移动电源、智能手表等，该MOSFET的小封装尺寸和低功耗特性使其成为理想选择，能够在有限的空间内提供高效的电源管理。 总之，SI4894BDY-T1-GE3凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计，广泛应用于各类电子设备中，特别是在对效率和可靠性要求较高的场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOICMOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4894BDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4894BDY-T1-GE3SI4894BDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1580pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4894BDY-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.9A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4894BDY-GE3 |
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