ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4890BDY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4890BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4890BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4890BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4890BDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4890BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4890BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4890BDY-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。这款MOSFET的主要应用场景包括但不限于以下几种： 1. 电源管理 SI4890BDY-T1-GE3常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中能够减少功率损耗，提高效率。该器件适用于降压、升压或反激式转换器等电路设计。 2. 电机控制 在电机驱动和控制应用中，MOSFET作为开关元件，能够快速响应PWM信号，实现精确的速度和扭矩控制。SI4890BDY-T1-GE3的快速开关特性和低损耗特性使其成为小型电机驱动的理想选择，如无人机、电动工具、家用电器中的电机控制。 3. 电池管理系统（BMS） 该MOSFET可用于电池保护电路中，特别是在锂电池管理系统中。它可以在过充、过放、短路等异常情况下迅速切断电流路径，保护电池组的安全。其低导通电阻有助于减少电池内阻，延长电池寿命。 4. 负载开关 SI4890BDY-T1-GE3可以用作负载开关，控制电源与负载之间的连接。其低导通电阻和快速开关速度使其能够在毫秒级时间内完成开关操作，确保系统的稳定性和可靠性。这种应用常见于消费电子、通信设备和工业控制系统中。 5. LED驱动 在LED照明系统中，MOSFET用于调节电流以确保LED的亮度一致。SI4890BDY-T1-GE3的低导通电阻可以减少发热，提高LED驱动电路的效率，延长LED的使用寿命。此外，它还可以用于调光控制，通过PWM信号调节LED的亮度。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，该MOSFET可用于车身控制模块、车窗升降器、座椅调节、雨刷控制等系统中。其耐高温、抗干扰能力强的特点使其适合严苛的车载环境。 总之，SI4890BDY-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效开关和功率管理的场合，特别适合对功耗和散热有严格要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOICMOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 10.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69502 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4890BDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4890BDY-T1-GE3SI4890BDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1535pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4890BDY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 5.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4890BDY-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
