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  • 型号: SI4866BDY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4866BDY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4866BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4866BDY-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4866BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4866BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOICMOSFET 12V 21.5A 4.45W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16.1 A

Id-连续漏极电流

16.1 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?70341

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4866BDY-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI4866BDY-T1-E3SI4866BDY-T1-E3

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vds-漏源极击穿电压

12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

18 ns, 12 ns

下降时间

32 ns, 9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5020pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

80nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.3 毫欧 @ 12A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

85 ns, 57 ns

功率-最大值

4.45W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

5.3 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

12 V

漏极连续电流

16.1 A

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21.5A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI4866BDY-E3

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