【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SI4840BDY-T1-GE3】封装/厂家_SI4840BDY-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SI4840BDY-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI4840BDY-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4840BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4840BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4840BDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 40V 19A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO。您可以下载SI4840BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4840BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 40V 19A 8SOICMOSFET 40V 19A 6.0W 9.0mohm @ 10V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	19 A
Id-连续漏极电流	19 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	http://www.vishay.com/doc?69795
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4840BDY-T1-GE3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SI4840BDY-T1-GE3SI4840BDY-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	6 W
Pd-功率耗散	6 W
Qg-GateCharge	50 nC
Qg-栅极电荷	50 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	9 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	9 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	12 ns
下降时间	10 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2000pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	9 毫欧 @ 12.4A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	SI4840BDY-T1-GE3CT
典型关闭延迟时间	25 ns
功率-最大值	6W
包装	剪切带（CT）
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8 Narrow
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	56 S
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	19A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SI4840BDY-GE3

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