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  • 型号: SI4838DY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI4838DY-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4838DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4838DY-T1-E3价格参考。VishaySI4838DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 12V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4838DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4838DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4838DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电源管理和信号切换场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
SI4838DY-T1-E3 常用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断,确保电源系统的稳定性和效率。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,该器件在大电流应用中表现出较低的功耗,适合用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理电路。

 2. 负载开关
该 MOSFET 可作为负载开关使用,特别是在需要频繁切换负载的场合。它能够在极短时间内完成开关动作,减少开关过程中的能量损耗,并且具有快速响应能力,适用于 USB 充电接口、电池管理系统等场景。

 3. 电机驱动
在小型电机驱动应用中,SI4838DY-T1-E3 可以用来控制电机的启动和停止。它的低导通电阻有助于减少电机运行时的发热,提高电机驱动的效率,适用于消费电子设备中的风扇、泵等小功率电机控制。

 4. 信号切换
该器件也可用于模拟和数字信号的切换,尤其是在需要隔离不同电压域或保护敏感电路的情况下。例如,在音频设备、通信模块等系统中,它可以作为信号路径的开关,确保信号传输的可靠性和安全性。

 5. 过流保护
SI4838DY-T1-E3 还可用于过流保护电路中。通过检测电流并通过外部电路控制栅极电压,MOSFET 可以在电流超过设定阈值时迅速切断电流路径,防止损坏下游电路。这种应用常见于充电器、适配器等设备中。

 总结
SI4838DY-T1-E3 凭借其低导通电阻、快速开关速度和良好的热性能,适用于多种电源管理和信号切换的应用场景,尤其适合对效率和可靠性要求较高的便携式电子产品和消费类设备。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOICMOSFET 12V 25A 3.5W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

25 A

Id-连续漏极电流

25 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4838DY-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI4838DY-T1-E3SI4838DY-T1-E3

Pd-PowerDissipation

3.5 W

Pd-功率耗散

3.5 W

Qg-GateCharge

60 nC

Qg-栅极电荷

60 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vds-漏源极击穿电压

12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

40 ns

下降时间

70 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

600mV @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 毫欧 @ 25A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4838DY-T1-E3TR
SI4838DYT1E3

典型关闭延迟时间

140 ns

功率-最大值

1.6W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

3 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

80 S

汲极/源极击穿电压

12 V

漏极连续电流

25 A

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI4838DY-E3

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