图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: SI4812BDY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

SI4812BDY-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4812BDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4812BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4812BDY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4812BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4812BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SI4812BDY-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

LITTLE FOOT®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16 毫欧 @ 9.5A,10V

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4812BDY-T1-GE3TR
SI4812BDYT1GE3

功率-最大值

1.4W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.3A (Ta)

SI4812BDY-T1-GE3 相关产品

FDMS7672AS

品牌:ON Semiconductor

价格:

2N7002K-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

FQU6N40CTU_NBEA001

品牌:ON Semiconductor

价格:

IRFS4610TRLPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

AOT480L

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

IRF3707ZL

品牌:Infineon Technologies

价格:

SPD02N50C3

品牌:Infineon Technologies

价格:

FDD1600N10ALZ

品牌:ON Semiconductor

价格: