ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4688DY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI4688DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4688DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4688DY-T1-E3价格参考。VishaySI4688DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4688DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4688DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4688DY-T1-E3 是一款 N 沫极低压功率 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：SI4688DY-T1-E3 适用于各种 DC-DC 转换器（如降压、升压和反相转换器）以及负载开关应用。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功耗，提高效率。 2. 电池管理：该器件常用于便携式设备中的电池保护电路，例如智能手机、平板电脑和其他消费类电子产品。它能够实现高效的电池充放电控制，并提供过流保护功能。 3. 电机驱动：在小型电机驱动应用中，这款 MOSFET 可作为功率级开关元件，用于控制电机的速度和方向。其快速开关能力和低损耗特点非常适合此类应用。 4. 信号切换：由于其出色的开关性能，SI4688DY-T1-E3 还可用于音频信号切换或数据线路切换等场景，确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 负载开关：在需要频繁开启/关闭负载的情况下，这款 MOSFET 提供了高效且紧凑的解决方案，特别适合对空间要求严格的 PCB 设计。 6. 热插拔保护：在服务器、通信设备等需要支持热插拔操作的系统中，该 MOSFET 可帮助限制浪涌电流并保护电路免受损坏。 总之，SI4688DY-T1-E3 凭借其优异的电气特性和封装形式，在众多低电压、高效率的应用领域中表现出色，是现代电子设计的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4688DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1580pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.9A （Ta） |
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