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型号： SI4628DY-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI4628DY-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4628DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4628DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4628DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4628DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4628DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 38A 8SOICMOSFET 30V 38A 7.8W 3.0mohm @ 10V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	38 A
Id-连续漏极电流	38 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4628DY-T1-GE3SkyFET®， TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SI4628DY-T1-GE3SI4628DY-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	3.5 W
Pd-功率耗散	3.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	20 ns
下降时间	13 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3450pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	87nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3 毫欧 @ 20A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	SI4628DY-T1-GE3DKR
典型关闭延迟时间	39 ns
功率-最大值	7.8W
包装	Digi-Reel®
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8 Narrow
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	73 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	38A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source
零件号别名	SI4628DY-GE3