ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI4567DY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI4567DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4567DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4567DY-T1-E3价格参考。VishaySI4567DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 40V 5A，4.4A 2.75W，2.95W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4567DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4567DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4567DY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，具有低导通电阻和快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 电源管理 SI4567DY-T1-E3 常用于各种电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理电路。由于其低导通电阻（Rds(on)），该器件能够在高电流应用中减少功率损耗，提高效率。特别是在便携式设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，它能够有效管理电源分配，延长电池寿命。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，SI4567DY-T1-E3 可以作为高效的开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低导通电阻使得它在需要频繁开关操作的场景中表现出色，减少了热量生成，提高了系统的可靠性和效率。 3. 信号切换 该器件适用于需要高速信号切换的应用，如通信设备、音频处理系统和测试测量仪器。其低电容和快速开关速度使其能够在高频信号路径中实现低失真、低噪声的信号切换，确保信号完整性。 4. 负载保护 SI4567DY-T1-E3 还可以用于过流保护和短路保护电路中。通过监测负载电流并在超过预设阈值时迅速切断电流路径，它可以有效防止电路损坏，提升系统的安全性和稳定性。 5. 消费电子 在消费电子产品中，如智能家电、智能家居设备等，SI4567DY-T1-E3 可用于控制各种功能模块的电源供应，实现节能和智能化管理。例如，在智能照明系统中，它可以用于调光控制和电源切换。 总结 SI4567DY-T1-E3 凭借其低导通电阻、快速开关特性和紧凑的封装尺寸，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换、负载保护以及消费电子等领域。其高效能和可靠性使其成为多种应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4567DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 355pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4567DY-T1-E3CT |
| 功率-最大值 | 2.75W，2.95W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A，4.4A |
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