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SI4559ADY-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4559ADY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4559ADY-T1-E3价格参考。VishaySI4559ADY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 60V 5.3A,3.9A 3.1W,3.4W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4559ADY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4559ADY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4559ADY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于多种电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 SI4559ADY-T1-E3 常用于电源管理系统中,如电池充电器、DC-DC 转换器和开关电源。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在大电流应用中能够有效降低功耗,提高效率。此外,该器件的快速开关速度有助于减少开关损耗,进一步提升电源转换效率。 2. 负载切换 在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,MOSFET 阵列用于实现负载切换功能。SI4559ADY-T1-E3 可以快速、可靠地控制不同负载的通断,确保系统在不同工作模式下的稳定性和安全性。例如,在待机模式下关闭不必要的电路,以节省电量。 3. 电机驱动 该器件也适用于小型电机驱动应用,如无人机、电动工具和家用电器中的直流电机控制。通过精确控制电流和电压,SI4559ADY-T1-E3 可以实现高效的电机启动、停止和调速操作,同时提供过流保护功能,防止电机过载损坏。 4. 信号隔离与保护 在工业控制系统和通信设备中,MOSFET 阵列用于信号隔离和保护电路。SI4559ADY-T1-E3 可以在高噪声环境下提供可靠的信号传输路径,并且能够在发生短路或过压时迅速切断电路,保护后端敏感元件免受损害。 5. 音频设备 在音频放大器和其他音视频处理设备中,MOSFET 阵列用于音频信号的放大和切换。SI4559ADY-T1-E3 的低噪声特性和高线性度使其成为理想选择,能够提供清晰、无失真的音频输出。 总之,SI4559ADY-T1-E3 凭借其优异的电气性能和可靠性,在各种需要高效功率控制和信号处理的应用场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOICMOSFET N-AND P-CH 60V(D-S) |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73624 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4559ADY-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4559ADY-T1-E3SI4559ADY-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 46 mOhms, 100 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms, 100 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 65 ns, 70 ns |
下降时间 | 10 ns, 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 665pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 58 毫欧 @ 4.3A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4559ADY-T1-E3TR |
典型关闭延迟时间 | 20 ns, 40 ns |
功率-最大值 | 3.1W,3.4W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A, 3.9A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI4559ADY-E3 |