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  • 型号: SI4559ADY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI4559ADY-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4559ADY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4559ADY-T1-E3价格参考。VishaySI4559ADY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 60V 5.3A,3.9A 3.1W,3.4W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4559ADY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4559ADY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4559ADY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于多种电子设备中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
SI4559ADY-T1-E3 常用于电源管理系统中,如电池充电器、DC-DC 转换器和开关电源。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在大电流应用中能够有效降低功耗,提高效率。此外,该器件的快速开关速度有助于减少开关损耗,进一步提升电源转换效率。

 2. 负载切换
在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,MOSFET 阵列用于实现负载切换功能。SI4559ADY-T1-E3 可以快速、可靠地控制不同负载的通断,确保系统在不同工作模式下的稳定性和安全性。例如,在待机模式下关闭不必要的电路,以节省电量。

 3. 电机驱动
该器件也适用于小型电机驱动应用,如无人机、电动工具和家用电器中的直流电机控制。通过精确控制电流和电压,SI4559ADY-T1-E3 可以实现高效的电机启动、停止和调速操作,同时提供过流保护功能,防止电机过载损坏。

 4. 信号隔离与保护
在工业控制系统和通信设备中,MOSFET 阵列用于信号隔离和保护电路。SI4559ADY-T1-E3 可以在高噪声环境下提供可靠的信号传输路径,并且能够在发生短路或过压时迅速切断电路,保护后端敏感元件免受损害。

 5. 音频设备
在音频放大器和其他音视频处理设备中,MOSFET 阵列用于音频信号的放大和切换。SI4559ADY-T1-E3 的低噪声特性和高线性度使其成为理想选择,能够提供清晰、无失真的音频输出。

总之,SI4559ADY-T1-E3 凭借其优异的电气性能和可靠性,在各种需要高效功率控制和信号处理的应用场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOICMOSFET N-AND P-CH 60V(D-S)

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

4.3 A

Id-连续漏极电流

4.3 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?73624

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4559ADY-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI4559ADY-T1-E3SI4559ADY-T1-E3

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

46 mOhms, 100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

46 mOhms, 100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

65 ns, 70 ns

下降时间

10 ns, 30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

665pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

58 毫欧 @ 4.3A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4559ADY-T1-E3TR
SI4559ADYT1E3

典型关闭延迟时间

20 ns, 40 ns

功率-最大值

3.1W,3.4W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.3A, 3.9A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI4559ADY-E3

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