ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4463BDY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4463BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4463BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4463BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4463BDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 9.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4463BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4463BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4463BDY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压电路中作为主开关管，实现高效的电压转换。 - 负载开关：在便携式设备中控制负载的通断，降低功耗并保护电路。 - 电池管理系统 (BMS)：适用于锂电池保护电路，防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动玩具、风扇或其他小型电机，提供高效且可靠的开关功能。 - H桥电路：在双方向电机控制中，作为驱动电路的一部分。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于充电管理和内部电路保护。 - USB充电器/Hub：实现快速充电功能中的电流控制和保护。 - 音频设备：在D类放大器中用作开关元件。 4. 通信设备 - 基站和路由器：用于电源模块中的开关和稳压功能。 - 信号切换：在多通道通信系统中实现高速信号切换。 5. 工业应用 - 传感器接口：为各种传感器提供电源控制和信号隔离。 - 继电器替代：利用其快速开关特性代替传统机械继电器，提高可靠性和寿命。 特性优势： - 低导通电阻：减少功率损耗，提高效率。 - 小型封装 (DFN2020-8)：节省PCB空间，适合紧凑设计。 - 高开关频率：支持高频应用，减少磁性元件体积。 - 优异的热性能：确保在高功率条件下稳定运行。 总结来说，SI4463BDY-T1-GE3 广泛应用于需要高效、快速开关和小尺寸解决方案的领域，特别是在便携式设备、电源管理和电机驱动中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4463BDY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 13.7A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4463BDY-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.8A （Ta） |
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