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SI4459ADY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4459ADY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4459ADY-T1-GE3价格参考。VishaySI4459ADY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 30V 29A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO。您可以下载SI4459ADY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4459ADY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOICMOSFET 30V 29A 7.8W 5.0mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 19.7 A |
Id-连续漏极电流 | 19.7 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4459ADY-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4459ADY-T1-GE3SI4459ADY-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 7.8 W |
Pd-功率耗散 | 7.8 W |
Qg-GateCharge | 61 nC |
Qg-栅极电荷 | 61 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 195nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 15A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4459ADY-T1-GE3TR |
典型关闭延迟时间 | 80 ns |
功率-最大值 | 7.8W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 24 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 29A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI4459ADY-GE3 |