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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4435DYTR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4435DYTR价格参考。International RectifierSI4435DYTR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4435DYTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4435DYTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的SI4435DYTR是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其应用场景广泛,特别是在需要高效、低损耗开关操作的电路中。以下是该型号MOSFET的一些主要应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC转换器:SI4435DYTR可以用于降压或升压DC-DC转换器中,作为主开关或同步整流器。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高转换效率。 - 线性稳压器:在低压差线性稳压器(LDO)中,该MOSFET可以用作旁路开关,以实现动态电压调节。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC):在BLDC电机驱动电路中,MOSFET作为功率级的一部分,用于控制电机绕组的电流流动,实现精确的速度和位置控制。 - 步进电机:用于步进电机驱动器中,提供高电流驱动能力,同时保持较低的发热。 3. 电池管理系统(BMS): - 电池保护电路:在锂离子电池或其他类型电池的保护电路中,MOSFET可以用作充放电路径的开关,防止过充、过放和短路等异常情况。 - 电量监测:通过控制充电和放电回路中的电流流动,帮助精确监测电池状态。 4. 消费电子设备: - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理模块,如USB充电接口的保护和切换。 - 笔记本电脑:在电源适配器和内部电源分配网络中,作为高效的开关元件。 5. 工业自动化: - 可编程逻辑控制器(PLC):用于PLC的输出模块,控制各种执行器和传感器。 - 伺服驱动器:在高性能伺服系统中,作为功率级的关键组件,确保快速响应和高精度控制。 6. 通信设备: - 基站和路由器:用于电源管理和信号处理模块,保证稳定可靠的运行。 - 服务器和数据中心:在冗余电源系统中,作为关键的开关元件,确保系统的高可用性和可靠性。 总之,SI4435DYTR凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种需要高效功率转换和控制的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI4435DYTR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2320pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 8A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |