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SI4435DYPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4435DYPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4435DYPBF价格参考。International RectifierSI4435DYPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4435DYPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4435DYPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的SI4435DYPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET类别。它广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景。 应用场景: 1. 电源管理: - SI4435DYPBF适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、线性稳压器和负载开关。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。 2. 电机控制: - 在小型电机驱动电路中,该MOSFET可以用于实现高效的PWM(脉宽调制)控制。其快速开关速度和低导通电阻使得电机运行更加平稳且节能。 3. 电池管理系统: - 用于电池保护电路中,SI4435DYPBF可以作为充放电路径的开关元件,确保电池在过充、过放或短路等异常情况下的安全。 4. 消费电子产品: - 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,该MOSFET常用于电源开关、背光驱动等场合,以实现低功耗和高效能。 5. 工业自动化: - 在工业控制系统中,MOSFET可用于信号隔离、继电器驱动等任务,提供可靠性和稳定性。 6. 汽车电子: - 汽车内的各种电子模块,如车身控制模块(BCM)、车载充电器等,都可能使用该MOSFET来实现高效能的电源管理和信号处理。 7. LED驱动: - 在LED照明系统中,SI4435DYPBF可以用作电流调节器,确保LED在不同工作条件下保持恒定亮度并延长寿命。 8. 通信设备: - 在无线通信基站、路由器等设备中,该MOSFET可用于射频前端模块中的开关应用,支持高速数据传输。 总之,SI4435DYPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在众多领域有着广泛的应用前景,尤其适合对效率和功耗有严格要求的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOICMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 8 A |
Id-连续漏极电流 | - 8 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier SI4435DYPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4435DYPBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 40 nC |
Qg-栅极电荷 | 40 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 17 ns |
下降时间 | 31 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2320pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 8A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
典型关闭延迟时间 | 130 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 20 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 95 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 40 nC |
标准包装 | 95 |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | - 8 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
闸/源击穿电压 | 20 V |