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  • 型号: SI4435DYPBF
  • 制造商: International Rectifier
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SI4435DYPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4435DYPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4435DYPBF价格参考。International RectifierSI4435DYPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4435DYPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4435DYPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的SI4435DYPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET类别。它广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - SI4435DYPBF适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、线性稳压器和负载开关。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。
   
2. 电机控制:
   - 在小型电机驱动电路中,该MOSFET可以用于实现高效的PWM(脉宽调制)控制。其快速开关速度和低导通电阻使得电机运行更加平稳且节能。
   
3. 电池管理系统:
   - 用于电池保护电路中,SI4435DYPBF可以作为充放电路径的开关元件,确保电池在过充、过放或短路等异常情况下的安全。
   
4. 消费电子产品:
   - 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,该MOSFET常用于电源开关、背光驱动等场合,以实现低功耗和高效能。
   
5. 工业自动化:
   - 在工业控制系统中,MOSFET可用于信号隔离、继电器驱动等任务,提供可靠性和稳定性。
   
6. 汽车电子:
   - 汽车内的各种电子模块,如车身控制模块(BCM)、车载充电器等,都可能使用该MOSFET来实现高效能的电源管理和信号处理。

7. LED驱动:
   - 在LED照明系统中,SI4435DYPBF可以用作电流调节器,确保LED在不同工作条件下保持恒定亮度并延长寿命。

8. 通信设备:
   - 在无线通信基站、路由器等设备中,该MOSFET可用于射频前端模块中的开关应用,支持高速数据传输。

总之,SI4435DYPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在众多领域有着广泛的应用前景,尤其适合对效率和功耗有严格要求的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOICMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 8 A

Id-连续漏极电流

- 8 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier SI4435DYPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

SI4435DYPBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

40 nC

Qg-栅极电荷

40 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

20 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns

下降时间

31 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2320pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

130 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

20 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

40 nC

标准包装

95

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 8 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

闸/源击穿电压

20 V

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