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SI4431CDY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4431CDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4431CDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4431CDY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 30V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SO。您可以下载SI4431CDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4431CDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOICMOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
Id-连续漏极电流 | 7 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4431CDY-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4431CDY-T1-GE3SI4431CDY-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 13 ns, 89 ns |
下降时间 | 9 ns, 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1006pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 32 毫欧 @ 7A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4431CDY-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 23 ns, 22 ns |
功率-最大值 | 4.2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 32 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 7 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI4431CDY-GE3 |