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Datasheet下载- 型号： SI4427BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI4427BDY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4427BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4427BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4427BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 9.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4427BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4427BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4427BDY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单通道晶体管类别。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路中负载的通断，适用于便携式设备、USB 接口等场景。 - DC-DC 转换器：作为同步整流器或开关元件，用于提高效率并降低功耗。 - 电池保护：在锂电池管理系统中，用于防止过充、过放或短路。 2. 信号切换 - 在音频或视频信号切换中，用作低噪声、高可靠性的信号路径控制元件。 - 适用于多路复用器或多路选择器设计。 3. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，支持低电压环境下的高效运行。 - 适合玩具、家用电器和自动化设备中的简单电机控制。 4. 消费电子 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，提供高效的功率管理和空间优化。 - 用于 USB 充电端口的保护和电流限制。 5. 工业应用 - 在工业控制系统中，作为信号隔离或功率级控制的开关元件。 - 用于传感器接口、数据采集系统中的低功耗设计。 6. 汽车电子 - 适用于车载信息娱乐系统、LED 照明控制以及电池管理系统。 - 满足汽车环境中对可靠性和稳定性的严格要求。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：减少功率损耗，提升效率。 - 小型封装 (DFN1006-2)：节省 PCB 空间，适合高密度设计。 - 低栅极电荷 (Qg)：支持高频开关应用。 - 宽工作电压范围：兼容多种供电场景。 总之，SI4427BDY-T1-E3 以其高性能和紧凑设计，非常适合需要高效功率转换和小尺寸解决方案的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOICMOSFET 30V 13.3A 3W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4427BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4427BDY-T1-E3SI4427BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 12.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4427BDY-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 242 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4427BDY-E3 |
