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SI4425DDY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4425DDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4425DDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4425DDY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 19.7A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO。您可以下载SI4425DDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4425DDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4425DDY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于低电压、高效率的开关电路中。以下是其主要应用场景: 1. 便携式电子设备 该 MOSFET 适用于各种便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效减少功率损耗,提高电池续航时间。它常用于电源管理模块中的负载开关和DC-DC转换器中,帮助实现高效的电源转换。 2. 消费类电子产品 在消费类电子产品中,SI4425DDY-T1-GE3 可用于音频放大器、USB充电器、智能家居设备等。它能够快速响应开关信号,确保设备在不同工作模式下的稳定性和可靠性。此外,其低功耗特性有助于降低发热,延长产品寿命。 3. 工业控制 在工业自动化领域,这款 MOSFET 可用于电机驱动、传感器接口、继电器替代等应用。它的耐压能力(Vds = 30V)和快速开关速度使其适合处理复杂的工业控制系统中的高低频信号切换,同时保持较低的电磁干扰(EMI)。 4. 通信设备 对于通信设备,如路由器、交换机和无线接入点,SI4425DDY-T1-GE3 可用于电源管理和信号调节。其低栅极电荷(Qg)特性使得它可以快速响应高频信号,确保通信链路的稳定性。此外,它的小封装尺寸(DFN8 3x3)有助于节省PCB空间,便于设计紧凑型设备。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中,这款 MOSFET 可用于车载充电器、LED 照明、车身控制模块(BCM)等。它能够在宽温度范围内稳定工作,满足汽车环境的严苛要求。其低导通电阻有助于减少热量产生,提高系统的整体能效。 总结 SI4425DDY-T1-GE3 具有低导通电阻、快速开关速度和小封装尺寸等优点,广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。其高效、可靠的特点使其成为现代电子设计中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOICMOSFET 30V 19.7A 5.7W 9.8mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
Id-连续漏极电流 | 13 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4425DDY-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4425DDY-T1-GE3SI4425DDY-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 41 ns, 9 ns |
下降时间 | 15 ns, 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2610pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.8 毫欧 @ 13A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4425DDY-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 36 ns, 42 ns |
功率-最大值 | 5.7W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19.7A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
零件号别名 | SI4425DDY-GE3 |