ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4404DY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4404DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4404DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4404DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4404DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4404DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4404DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4404DY-T1-GE3 是一款单通道 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关速度和高可靠性等特性，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 SI4404DY-T1-GE3 常用于电源管理系统中，如直流-直流转换器（DC-DC Converter）。它能够高效地控制电流的通断，减少功率损耗，提升系统的整体效率。其低导通电阻有助于降低发热，延长使用寿命，特别适合便携式设备、笔记本电脑、智能手机等对能效要求较高的应用。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，MOSFET 被用作开关元件，控制电机的启动、停止和调速。SI4404DY-T1-GE3 的快速开关特性和低导通电阻使其成为理想选择，尤其适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动控制。 3. 负载开关 作为负载开关，SI4404DY-T1-GE3 可以根据控制信号迅速接通或断开负载电路，保护系统免受过流、短路等异常情况的影响。它常用于消费电子产品、工业控制系统和汽车电子中，确保系统的稳定性和安全性。 4. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，MOSFET 用于控制电池充放电过程中的电流流向，防止过充、过放和短路等问题。SI4404DY-T1-GE3 的低导通电阻有助于减少能量损耗，提高电池的使用效率和寿命，适用于锂电池、铅酸电池等多种类型的电池管理系统。 5. 信号切换 在通信设备、音频设备等需要频繁切换信号路径的应用中，MOSFET 可以用作模拟开关。SI4404DY-T1-GE3 的快速响应时间和低导通电阻使其能够在不引入过多噪声的情况下实现信号的精确切换。 总之，SI4404DY-T1-GE3 凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、电池管理和信号切换等领域，为各类电子设备提供了高效的电力控制解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4404DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 23A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta） |
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