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Datasheet下载- 型号： SI4401BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4401BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4401BDY-T1-GE3价格参考￥4.13-￥4.43。VishaySI4401BDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 40V 8.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4401BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4401BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4401BDY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种需要高效开关和低导通电阻的电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI4401BDY-T1-GE3 常用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理电路中。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高转换效率。在电池供电设备中，如手机、平板电脑、笔记本电脑等，MOSFET 的高效性能可以延长电池寿命。 2. 负载开关 该 MOSFET 可作为负载开关使用，控制电流流向特定负载。通过快速切换 MOSFET 的导通和关断状态，可以实现对不同负载的精确控制，适用于 USB 端口保护、电源路径管理等场景。其低导通电阻确保了在大电流情况下仍能保持较低的温升，提高了系统的可靠性。 3. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵浦、无人机电机等，SI4401BDY-T1-GE3 可以作为驱动电路的一部分，用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低功耗特性使其适合于需要频繁启停或调速的应用场合。 4. 信号切换 在通信设备、音频处理系统中，MOSFET 可用于信号路径的切换。SI4401BDY-T1-GE3 的低电容和快速开关速度使其能够有效地切换高频信号，同时保持信号完整性，适用于射频 (RF) 开关、音频信号切换等场景。 5. 过流保护 该 MOSFET 还可用于过流保护电路中。通过监测流经 MOSFET 的电流，当检测到异常大电流时，可以通过外部控制电路迅速关闭 MOSFET，防止下游电路损坏。这种保护机制常见于充电器、适配器等设备中。 6. 便携式电子设备 由于其小尺寸封装（SOT-23-3），SI4401BDY-T1-GE3 特别适合用于空间受限的便携式电子设备，如智能手表、健身追踪器、蓝牙耳机等。其低静态电流和高集成度使得它能够在不影响性能的情况下减小电路板面积。 总之，SI4401BDY-T1-GE3 凭借其出色的电气特性、紧凑的封装和广泛的适用性，成为众多电子设备中的关键组件，尤其适用于需要高效、低功耗和小型化设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOICMOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4401BDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4401BDY-T1-GE3SI4401BDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4401BDY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 97 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4401BDY-GE3 |
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