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  • 型号: SI4386DY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI4386DY-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4386DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4386DY-T1-E3价格参考。VishaySI4386DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.47W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4386DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4386DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4386DY-T1-E3 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

 1. 电源管理
SI4386DY-T1-E3 适用于多种电源管理系统,如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和电池充电电路。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗,提高电源转换效率。此外,该器件的快速开关特性使其在高频应用中表现出色,适合用于笔记本电脑、智能手机等便携式设备的电源管理模块。

 2. 电机驱动
在小型电机驱动应用中,SI4386DY-T1-E3 可作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高电机驱动系统的效率,并降低发热,延长系统寿命。典型应用包括风扇、水泵、伺服电机等。

 3. 负载开关
该 MOSFET 还可以作为负载开关使用,用于控制电路中的负载通断。例如,在 USB 端口保护电路中,SI4386DY-T1-E3 可以防止过流、短路等异常情况,确保系统的安全性和稳定性。其快速响应时间使得它能够在故障发生时迅速切断电流,保护下游电路。

 4. 电池保护
在电池管理系统(BMS)中,SI4386DY-T1-E3 可用于电池充放电保护电路。通过精确控制电池的充放电路径,防止电池过充、过放以及短路等问题,从而延长电池寿命并提高安全性。常见于锂电池组、智能手表、电动工具等产品中。

 5. 信号切换
在一些需要高速信号切换的应用场景中,如音频放大器、数据通信设备等,SI4386DY-T1-E3 的低电容和快速开关特性使其成为理想的信号切换元件。它可以实现对不同信号路径的快速切换,同时保持信号的完整性。

综上所述,SI4386DY-T1-E3 凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、负载开关、电池保护和信号切换等多个领域有着广泛的应用前景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOICMOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?73109

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4386DY-T1-E3TrenchFET®

数据手册

http://www.vishay.com/doc?73109点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SI4386DY-T1-E3SI4386DY-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.47 W

Pd-功率耗散

1.47 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

9 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 16A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4386DY-T1-E3TR
SI4386DYT1E3

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

1.47W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI4386DY-E3

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