ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4348DY-T1-E3
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- 型号： SI4348DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4348DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4348DY-T1-E3价格参考。VishaySI4348DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4348DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4348DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4348DY-T1-E3是一款N沟道MOSFET晶体管，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于各种电源管理和信号切换场景中，具体应用场景如下： 1. 电源管理：该MOSFET适用于多种电源转换电路，如DC-DC转换器、降压/升压转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高电源效率。在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源管理系统中，SI4348DY-T1-E3能够提供高效且稳定的电流传输。 2. 负载开关：在需要频繁开启和关闭负载的电路中，例如USB端口保护、电池充电控制等，该MOSFET可以作为高效的负载开关使用。它能够快速响应负载变化，并且具备较低的电压降，确保系统稳定运行。 3. 电机驱动：小型直流电机或步进电机的驱动电路中也常使用此类MOSFET。由于其出色的开关性能和耐受较大电流的能力，SI4348DY-T1-E3适合用于控制电机的速度和方向，同时保证低功耗和长寿命。 4. 信号切换与隔离：在通信设备、工业自动化等领域，MOSFET可用于实现信号的高速切换及隔离功能。SI4348DY-T1-E3能够在这些应用中提供可靠的信号传输路径，防止干扰并提高系统的抗噪能力。 5. 电池管理系统（BMS）：对于电动汽车、储能系统等涉及多节电池串并联的应用场合，该MOSFET可帮助构建精确的电池监控和保护机制，保障电池组的安全性和可靠性。 总之，Vishay Siliconix的SI4348DY-T1-E3凭借其卓越的电气特性，在众多电子设备和系统中发挥着关键作用，特别是在追求高效能、小尺寸和低成本的设计方案中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4348DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.5 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4348DY-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.31W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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