ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI4204DY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4204DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4204DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4204DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4204DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 19.8A 3.25W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4204DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4204DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4204DY-T1-GE3是一款晶体管阵列，具体来说是MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）阵列。这种器件广泛应用于需要高效开关和低导通电阻（Rds(on)）的场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：在电源管理电路中，MOSFET阵列用于实现高效的电压转换。SI4204DY-T1-GE3可以作为同步整流器或开关元件，帮助提高转换效率，减少能量损耗。 - 负载开关：该器件可以用作负载开关，控制不同负载之间的电源分配，确保系统的稳定性和安全性。 2. 电机控制 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机控制系统中，MOSFET阵列用于驱动电机绕组，提供精确的电流控制，确保电机的平稳运行和高效工作。 - 步进电机驱动：通过精确控制电流方向和大小，MOSFET阵列可以帮助实现步进电机的精确位置控制。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池充放电保护：MOSFET阵列可以用于电池管理系统中的充放电路径控制，确保电池在安全范围内工作，防止过充、过放等问题。 - 均衡电路：在多节电池串联的应用中，MOSFET阵列可以用于电池均衡电路，确保各节电池的电压保持一致，延长电池寿命。 4. 通信设备 - 信号切换：在通信设备中，MOSFET阵列可以用于高速信号切换，确保信号传输的可靠性和稳定性。 - 天线切换：在无线通信系统中，MOSFET阵列可以用于天线切换电路，选择不同的天线路径，优化信号接收和发射性能。 5. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑等便携式设备中，MOSFET阵列用于电源管理和外围设备的控制，确保设备的低功耗和高效能。 - 音频放大器：在音频设备中，MOSFET阵列可以用于功率放大器的输出级，提供大电流驱动，同时保持低失真。 总结 SI4204DY-T1-GE3因其低导通电阻、高开关速度和可靠性，适用于多种应用场景，特别是在电源管理、电机控制、电池管理、通信设备以及消费电子产品中，能够提供高效、可靠的性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOICMOSFET 20V 19.8A DUAL N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 19.8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?65154 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4204DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4204DY-T1-GE3SI4204DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.25 W |
| Pd-功率耗散 | 3.25 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.6 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4204DY-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 3.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 50 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19.8A |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4204DY-GE3 |
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