Datasheet下载- 型号： SI4178DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4178DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4178DY-T1-GE3价格参考￥1.25-￥1.37。VishaySI4178DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4178DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4178DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4178DY-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压转换器中的开关元件，提供高效的能量转换。 - 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中用作负载开关，控制电源通断并降低功耗。 - 电池保护：在电池管理系统中，用于防止过充、过放和短路。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小功率电机驱动，例如风扇、泵或玩具电机。 - H桥电路：用于双向电机控制，实现正转和反转功能。 3. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中用于信号路径切换，确保低噪声和高保真度。 - 数据线路切换：在通信设备中用于高速数据线路的切换，支持USB等接口。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，检测和限制过电流，保护下游电路。 - ESD保护：内置ESD防护能力，适合需要抗静电的应用环境。 5. 便携式设备 - 低功耗设计：由于其极低的导通电阻（Rds(on)），非常适合对能效要求较高的便携式设备，如移动电源、笔记本电脑适配器等。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器、显示屏背光控制等。 - 车身控制模块：如车窗升降、座椅调节等小型电机驱动。 特点总结： - 低导通电阻：提高效率，减少发热。 - 小型封装：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 - 高可靠性：适用于工业级和消费级应用。 总之，SI4178DY-T1-GE3凭借其优异的性能和紧凑的设计，成为许多低功耗、高效率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOICMOSFET 30V 12A N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4178DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4178DY-T1-GE3SI4178DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| Qg-GateCharge | 7.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 405pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4178DY-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4178DY-GE3 |
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