Datasheet下载- 型号： SI4168DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4168DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4168DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4168DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4168DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4168DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4168DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于开关模式电源（SMPS）中的高频开关，提高效率和降低功耗。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电路的通断以节省电能。 - 电压调节模块（VRM）：为微处理器或图形处理器提供稳定的供电电压。 2. 电池管理系统 - 电池保护电路：用于锂电池或其他可充电电池的过充、过放、短路保护。 - 电量监测：通过低导通电阻特性，减少电池电流检测时的功率损耗。 3. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于玩具、家用电器等小型电机的启动、停止和速度调节。 - H 桥电路：实现电机的正反转控制。 4. 通信设备 - 信号切换：在通信系统中用于高速信号切换，确保低延迟和高可靠性。 - 射频前端：用于射频电路中的开关功能，支持高效的信号传输。 5. 消费类电子产品 - 笔记本电脑和智能手机：作为内部电源管理芯片的一部分，优化能耗并延长电池寿命。 - 音频放大器：用于音频信号的功率放大，提供更清晰的声音输出。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频、显示等子系统的电源管理。 - LED 照明控制：调节车内外 LED 灯的亮度和颜色。 7. 工业自动化 - 传感器接口：用于工业传感器的数据采集和信号处理。 - 继电器替代：利用其快速开关特性和长寿命优势，取代传统机械继电器。 SI4168DY-T1-GE3 具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，使其非常适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOICMOSFET 30V 24A 5.7W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4168DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4168DY-T1-GE3SI4168DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1720pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4168DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 5.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 90 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI4168DY-GE3 |
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