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  • 型号: SI4122DY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI4122DY-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4122DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4122DY-T1-GE3价格参考¥9.69-¥14.82。VishaySI4122DY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 27.2A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO。您可以下载SI4122DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4122DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4122DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子应用。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
SI4122DY-T1-GE3 常用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高效率,特别适合低压应用,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电源管理模块。

 2. 电池保护
在便携式设备中,MOSFET 可用于电池充放电保护电路。SI4122DY-T1-GE3 的低导通电阻和快速响应时间使其能够有效防止过流、过充或过放等问题,确保电池的安全性和寿命。

 3. 负载开关
该器件可用作负载开关,控制电流流向特定负载。它能够在短时间内迅速开启或关闭电流路径,避免启动时的浪涌电流对系统造成冲击,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。

 4. 电机驱动
在小型电机驱动应用中,如风扇、泵或其他微型电机,SI4122DY-T1-GE3 可作为驱动元件,通过 PWM(脉宽调制)信号控制电机的速度和方向。其低功耗和高可靠性使其成为这些应用的理想选择。

 5. 信号切换
在需要高频信号切换的应用中,如音频设备、数据通信设备等,SI4122DY-T1-GE3 可以用作模拟开关或数字信号切换器。其快速开关特性和低导通电阻有助于保持信号的完整性和稳定性。

 6. LED 驱动
对于 LED 照明应用,尤其是需要调光功能的场景,MOSFET 可用于调节 LED 的亮度。SI4122DY-T1-GE3 的低导通电阻可以减少发热,延长 LED 的使用寿命,并提高系统的整体效率。

总之,SI4122DY-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效、快速响应和低功耗的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOICMOSFET 40V 27.2A 6.0W 4.5mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

19.2 A

Id-连续漏极电流

19.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?68665

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4122DY-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI4122DY-T1-GE3SI4122DY-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

34 ns

下降时间

28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4200pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

95nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 毫欧 @ 15A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4122DY-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

6W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

27.2A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

SI4122DY-GE3

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