ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4056DY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4056DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4056DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4056DY-T1-GE3价格参考￥2.29-￥3.84。VishaySI4056DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 11.1A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4056DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4056DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4056DY-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 SI4056DY-T1-GE3常用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电电路。它具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗，提高效率。该器件适用于低压应用，特别适合便携式设备、笔记本电脑和移动电源等对能效要求较高的场合。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，MOSFET作为开关元件，控制电机的启停和速度。SI4056DY-T1-GE3的快速开关特性和低导通电阻使其成为理想选择，适用于风扇、泵、电动工具等设备中的电机控制。 3. 负载切换 该MOSFET可用于负载切换电路，例如在汽车电子系统中控制灯光、雨刷器、空调等负载的通断。它能够在高电流条件下保持较低的温升，确保系统的稳定性和可靠性。 4. 信号传输与保护 在信号传输线路中，MOSFET可以作为开关或保护元件使用。SI4056DY-T1-GE3具备良好的抗静电能力（ESD防护），能够防止过电压和过电流对后端电路的损害，适用于通信设备、工业自动化系统等场景。 5. 消费电子产品 此款MOSFET还广泛应用于智能手机、平板电脑、智能手表等消费电子产品中。它的小封装（SOT-23）使其适合紧凑型设计，同时具备出色的电气性能，满足现代电子产品对空间和性能的双重需求。 6. LED驱动 在LED照明应用中，MOSFET用于调节电流以控制亮度。SI4056DY-T1-GE3的低导通电阻有助于减少发热，延长LED灯具的使用寿命，适用于室内照明、汽车尾灯和指示灯等领域。 综上所述，SI4056DY-T1-GE3凭借其优异的电气特性、小尺寸和可靠性，适用于多种电力电子、消费电子及工业自动化领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOICMOSFET 100V 23mOhm@10V 11.1A N-Ch MV T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4056DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4056DY-T1-GE3SI4056DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.7 W |
| Pd-功率耗散 | 5.7 W |
| Qg-栅极电荷 | 9.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4056DY-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 5.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.1A （Tc） |
| 系列 | SI4056DY |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4056DY-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
