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  • 型号: SI3993CDV-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3993CDV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3993CDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3993CDV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 2.9A 1.4W 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3993CDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3993CDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOPMOSFET 20V 2.2A DUAL PCH

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

2.2 A

Id-连续漏极电流

2.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?72320

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3993CDV-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI3993CDV-T1-GE3SI3993CDV-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1.15 W

Pd-功率耗散

1.15 W

Qg-GateCharge

3.1 nC

Qg-栅极电荷

3.1 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

133 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

133 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1 V to - 3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1 V to - 3 V

上升时间

16 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

210pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

111 毫欧 @ 2.5A, 10V

产品种类

Dual MOSFETs

供应商器件封装

6-TSOP

典型关闭延迟时间

17 ns

功率-最大值

1.4W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

4 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.9A

系列

SI3993CDV

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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