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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3993CDV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3993CDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3993CDV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 2.9A 1.4W 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3993CDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3993CDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOPMOSFET 20V 2.2A DUAL PCH |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72320 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3993CDV-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI3993CDV-T1-GE3SI3993CDV-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 1.15 W |
Pd-功率耗散 | 1.15 W |
Qg-GateCharge | 3.1 nC |
Qg-栅极电荷 | 3.1 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 133 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 133 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V to - 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V to - 3 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 111 毫欧 @ 2.5A, 10V |
产品种类 | Dual MOSFETs |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
典型关闭延迟时间 | 17 ns |
功率-最大值 | 1.4W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 4 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.9A |
系列 | SI3993CDV |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |