ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > SI3900DV-T1-GE3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3900DV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3900DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3900DV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 2A 830mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3900DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3900DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3900DV-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,具有低导通电阻和高开关速度的特点。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中的负载开关应用,能够实现高效的电流切换和保护功能。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为同步整流 MOSFET 使用,降低功耗并提高效率。 - 电池管理:适用于锂电池保护电路,控制充电和放电路径。 2. 信号切换 - 音频信号切换:在音频设备中用于信号路径的切换,确保低失真和高保真度。 - 数据线路切换:用于 USB、以太网或其他高速数据接口的信号切换,支持多路复用和解复用。 3. 工业自动化 - 电机驱动:用于小型直流电机驱动电路,提供高效、低损耗的开关性能。 - 传感器接口:在工业传感器中用作信号切换或隔离元件,提高系统的可靠性和稳定性。 4. 消费电子 - 笔记本电脑与外设:在笔记本电脑及其外围设备中用作电源管理和信号切换元件。 - 智能家居设备:应用于智能灯泡、智能插座等产品中,实现电源控制和信号切换功能。 5. 通信设备 - 网络设备:在路由器、交换机等网络设备中用于电源分配和信号切换。 - 无线模块:在物联网 (IoT) 设备中作为电源管理元件,优化功耗和性能。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器、显示屏供电等场景。 - 车身控制模块:在车窗升降、座椅调节等系统中作为开关元件使用。 SI3900DV-T1-GE3 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 27 mΩ)、小封装尺寸(TSOP-6)以及出色的热性能,使其非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI3900DV-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 2.4A,4.5V |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | SI3900DV-T1-GE3CT |
功率-最大值 | 830mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A |