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Datasheet下载- 型号： SI3900DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI3900DV-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3900DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3900DV-T1-E3价格参考。VishaySI3900DV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 2A 830mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3900DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3900DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3900DV-T1-E3是一款双通道N沟道MOSFET阵列，主要应用于需要高效开关和低导通电阻（Rds(on)）的电路中。以下是其具体应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：在电源管理系统中，SI3900DV-T1-E3可以用于降压或升压型DC-DC转换器中的同步整流。它能够提供高效的功率传输，减少能量损耗，提高转换效率。 - 负载开关：该器件适用于负载开关应用，能够快速响应负载变化，确保系统的稳定性和可靠性。 2. 电机控制 - H桥驱动：在小型电机控制中，SI3900DV-T1-E3可以用于H桥驱动电路，实现电机的正反转控制。由于其低导通电阻特性，可以有效降低功耗，延长电池寿命。 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：该器件也可用于无刷直流电机的电子换向电路中，提供高效、稳定的电流控制。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：在便携式电子设备中，SI3900DV-T1-E3可用于电源管理模块，如充电电路、背光驱动等，确保设备在不同工作模式下的高效运行。 - 笔记本电脑和其他便携式设备：该器件可应用于USB端口保护、电池管理等场景，提供可靠的开关功能。 4. 工业应用 - 工业控制系统：在工业自动化系统中，SI3900DV-T1-E3可用于信号隔离、传感器接口等场合，确保信号传输的准确性和稳定性。 - 智能电表：该器件可用于智能电表中的电源管理和通信接口，确保数据传输的可靠性和系统的低功耗运行。 5. 汽车电子 - 车载电源管理系统：在汽车电子领域，SI3900DV-T1-E3可用于车载电源管理模块，如电池管理系统（BMS）、车身控制模块（BCM）等，确保车辆电气系统的高效运行。 - LED照明驱动：该器件还可用于汽车LED照明系统的驱动电路，提供高效的电流控制和调光功能。 总之，SI3900DV-T1-E3凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，广泛应用于各种需要高效功率管理和信号控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOPMOSFET 20V 2.4A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71178 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3900DV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3900DV-T1-E3SI3900DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 830 mW |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3900DV-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 125 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI3900DV-E3 |
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