Datasheet下载- 型号： SI3585CDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3585CDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3585CDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3585CDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3585CDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3585CDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3585CDV-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于各种电子电路中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路中的电流流动，实现设备的快速开启和关闭。 - DC-DC 转换器：作为同步整流器或功率级开关，提高转换效率并降低功耗。 - 电池保护：防止过充、过放或短路，确保电池安全。 2. 信号切换 - 音频信号切换：在多输入音频设备中，用于选择不同的信号源。 - 数据线路切换：在 USB 或其他高速数据接口中，用于动态切换数据路径。 3. 电机驱动 - 小型电机控制：用于驱动步进电机、直流电机或伺服电机，实现正转、反转和速度调节。 - H 桥电路：通过组合两个 MOSFET 实现双向电流控制，适合机器人或自动化设备。 4. 消费电子产品 - 智能手机和平板电脑：用于管理内部电源分配和外设连接。 - 笔记本电脑：在充电电路和电池管理系统中提供高效的开关功能。 5. 工业应用 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代：利用其低导通电阻和快速开关特性，替代传统机械继电器。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器或显示屏的电源管理。 - LED 照明：控制 LED 驱动电路，调节亮度和颜色。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适用于高频应用，降低电磁干扰。 - 小封装尺寸：节省 PCB 空间，适合便携式设备。 综上所述，SI3585CDV-T1-GE3 凭借其高性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域，满足多种复杂场景下的需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI3585CDV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 58 毫欧 @ 2.5A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.4W， 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.9A， 2.1A |
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