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型号： SI3529DV-T1-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3529DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3529DV-T1-E3价格参考。VishaySI3529DV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 40V 2.5A，1.95A 1.4W 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3529DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3529DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI3529DV-T1-E3是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 电源管理
   SI3529DV-T1-E3常用于电源管理系统中，特别是在DC-DC转换器、线性稳压器和电池管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高效率，特别适合于便携式设备、笔记本电脑和移动电源等对能效要求较高的产品。

 2. 负载切换
   在负载切换应用中，该MOSFET阵列可用于控制电流流向不同的负载，如USB端口、传感器或电机驱动器。通过快速、可靠的开关操作，确保系统在不同工作模式下稳定运行，同时降低功耗。

 3. 电机驱动
   该器件适用于小型直流电机的驱动电路，尤其是在消费电子、智能家居设备和工业自动化领域。由于其低导通电阻和高电流处理能力，能够有效减少发热，延长电机寿命，并提高系统的响应速度。

 4. 信号调理与保护
   SI3529DV-T1-E3还可以用于信号调理电路中的电平转换和保护功能。例如，在通信设备中，它可以作为ESD（静电放电）保护元件，防止过电压损坏敏感电路；或者用作I/O接口的电平转换器，确保不同电压域之间的兼容性。

 5. 音频放大器
   在音频放大器设计中，这款MOSFET阵列可用于音频信号的开关和放大，提供低噪声和高保真度的音频输出。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少失真，提升音质表现。

 6. 汽车电子
   在汽车电子领域，SI3529DV-T1-E3可用于车身控制系统、车载娱乐系统以及电动助力转向系统等。其出色的电气性能和可靠性使其能够在严苛的工作环境中保持稳定运行，满足汽车行业的高标准要求。

总之，SI3529DV-T1-E3凭借其优异的电气特性，适用于多种高效、可靠且低功耗的应用场景，尤其在电源管理、负载切换和电机驱动等领域表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI3529DV-T1-E3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	205pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	7nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	125 毫欧 @ 2.2A，10V
供应商器件封装	6-TSOP
功率-最大值	1.4W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.5A，1.95A