ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI3493DV-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI3493DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3493DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3493DV-T1-E3价格参考。VishaySI3493DV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP。您可以下载SI3493DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3493DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3493DV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压转换电路中，作为主开关管或同步整流管，实现高效的电压调节。 - 负载开关：在便携式设备中控制负载的开启和关闭，降低功耗并保护电路。 - 电池管理系统 (BMS)：用于电池充放电保护、电流限制和过流保护。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器等场景中的电机驱动，提供高效率和快速响应。 - H桥和半桥电路：用于双向电机控制，支持正转和反转操作。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于充电管理和内部电源分配。 - USB-PD控制器：支持USB Power Delivery功能，实现快速充电。 - 音频放大器：用作开关元件，提高效率并减少热量产生。 4. 通信设备 - 基站和路由器：用于电源模块中的开关和稳压功能。 - 信号调理电路：在低噪声要求的场景中，作为开关元件使用。 5. 工业应用 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号切换。 - 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）和其他控制设备中，实现信号隔离和功率传输。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如信息娱乐系统、导航系统等的电源管理。 - LED驱动：用于车灯控制系统，提供稳定的电流输出。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：典型值为3.8mΩ（@ Vgs=10V），有助于降低功耗和发热。 - 高开关速度：适合高频开关应用，提升系统效率。 - 小封装尺寸 (DFN3030-2A)：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 综上所述，SI3493DV-T1-E3 适用于各种需要高效功率转换和低损耗的场景，特别是在便携式设备、消费电子和工业控制领域表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOPMOSFET 20V 7.0A 2.0W 27mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71936 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3493DV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3493DV-T1-E3SI3493DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 典型关闭延迟时间 | 125 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3493DV-E3 |
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