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  • 型号: SI3477DV-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3477DV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3477DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3477DV-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3477DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3477DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOPMOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 8 A

Id-连续漏极电流

- 8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3477DV-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI3477DV-T1-GE3SI3477DV-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

4.2 W

Pd-功率耗散

4.2 W

Qg-GateCharge

28.3 nC

Qg-栅极电荷

28.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

17.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1 V

上升时间

10 nS

下降时间

30 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2600pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

90nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

17.5 毫欧 @ 9A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

SI3477DV-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

65 nS

功率-最大值

4.2W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

30 S

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Tc)

配置

Single Quad Drain

零件号别名

SI3477DV-GE3

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