Datasheet下载- 型号： SI3459BDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3459BDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3459BDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3459BDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3459BDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3459BDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOPMOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69954 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3459BDV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3459BDV-T1-GE3SI3459BDV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 4.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 216 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 216 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 3 V |
| 上升时间 | 60 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 13 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 216 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3459BDV-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns, 18 ns |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 216 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 2.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3459BDV-GE3 |
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