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Datasheet下载- 型号： SI3457CDV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3457CDV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3457CDV-T1-E3价格参考￥1.20-￥1.20。VishaySI3457CDV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 5.1A（Tc） 3W（Tc） 6-TSOP。您可以下载SI3457CDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3457CDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3457CDV-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 该MOSFET适用于各种电源管理电路，如DC-DC转换器、降压或升压变换器等。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，可以减少功率损耗，提高转换效率，特别适合于便携式设备、消费电子、通信设备等对能效要求较高的应用。 2. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，MOSFET用于控制电池充放电过程中的电流流动。SI3457CDV-T1-E3能够快速响应并精确控制电流，确保电池的安全性和延长使用寿命。它还可以用于电池保护电路，防止过充、过放、短路等问题。 3. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如电动工具、家用电器、无人机等，MOSFET作为开关元件，负责控制电机的启动、停止和速度调节。SI3457CDV-T1-E3的低导通电阻有助于减少发热，提高系统的整体效率。 4. 负载开关 在负载开关应用中，MOSFET用于控制电源与负载之间的连接，实现快速的开启和关闭操作。SI3457CDV-T1-E3具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够在不影响系统性能的情况下，提供高效的电源管理。 5. 信号切换 在信号切换电路中，MOSFET可以用作模拟开关，用于选择不同的信号路径。SI3457CDV-T1-E3的低导通电阻和低栅极电荷特性，使得它在高频信号切换应用中表现出色，适用于通信设备、音频处理等领域。 6. LED驱动 在LED照明应用中，MOSFET用于调节LED的电流，确保其稳定工作。SI3457CDV-T1-E3的低导通电阻有助于减少功耗，提高LED的亮度和寿命，特别适合于高亮度LED灯、显示屏背光等应用。 总之，SI3457CDV-T1-E3凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效开关和低功耗的场合表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOPMOSFET 30V 5.1A 3.0W 74mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68602 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3457CDV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3457CDV-T1-E3SI3457CDV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 74 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 74 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 74 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 74 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 5.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.1A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3457CDV-E3 |
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