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Datasheet下载- 型号： SI3457CDV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3457CDV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3457CDV-T1-E3价格参考￥1.20-￥1.20。VishaySI3457CDV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 5.1A（Tc） 3W（Tc） 6-TSOP。您可以下载SI3457CDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3457CDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI3457CDV-T1-E3 是一款由 Silicon Laboratories 生产的高性能、低功耗的 RS-485/RS-422 收发器，广泛应用于工业通信和自动化控制系统中。以下是该元器件的主要应用场景： 1. 工业自动化 SI3457CDV-T1-E3 可用于构建工业自动化系统中的通信网络。RS-485 和 RS-422 标准因其长距离传输能力和抗干扰性能，常用于工厂车间、楼宇自动化等场景。该收发器支持高达 20 Mbps 的数据传输速率，适用于高速数据传输需求，如 PLC（可编程逻辑控制器）、DCS（分布式控制系统）之间的通信。 2. 智能建筑与智能家居 在智能建筑和智能家居系统中，RS-485/RS-422 网络被用来连接各种传感器、执行器和控制设备。SI3457CDV-T1-E3 可以确保这些设备之间的稳定通信，特别是在长距离布线的情况下。它还具备±15 kV ESD 保护功能，能够有效防止静电损坏，提升系统的可靠性。 3. 能源管理 在电力、水力、燃气等能源管理系统中，RS-485/RS-422 通信接口被广泛用于数据采集和监控。SI3457CDV-T1-E3 可以帮助实现远程终端单元（RTU）、智能电表、变电站设备等之间的高效通信，确保实时数据传输的准确性和稳定性。 4. 交通控制系统 交通信号灯、电子收费系统（ETC）、停车场管理系统等都需要可靠的通信链路。SI3457CDV-T1-E3 的高抗干扰能力和宽温度范围（-40°C 至 +85°C）使其非常适合户外环境下的应用，确保交通控制系统在恶劣条件下仍能正常运行。 5. 医疗设备 在医疗设备中，RS-485/RS-422 接口常用于连接各种诊断仪器、监护设备和中央控制系统。SI3457CDV-T1-E3 提供了稳定的通信性能，并且符合医疗设备对电磁兼容性的严格要求，确保数据传输的可靠性和安全性。 总结 SI3457CDV-T1-E3 凭借其高性能、低功耗、高抗干扰能力和广泛的温度适应性，成为工业通信、智能建筑、能源管理、交通控制和医疗设备等领域的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOPMOSFET 30V 5.1A 3.0W 74mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68602 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3457CDV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3457CDV-T1-E3SI3457CDV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 74 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 74 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 74 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 74 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 5.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.1A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3457CDV-E3 |
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