ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SI3454ADV-T1-E3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI3454ADV-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3454ADV-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3454ADV-T1-E3价格参考。VishaySI3454ADV-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 3.4A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP。您可以下载SI3454ADV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3454ADV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3454ADV-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。以下是该型号MOSFET的一些典型应用场景: 1. 电源管理 SI3454ADV-T1-E3常用于各种电源管理系统,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电池充电器等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。在这些应用中,MOSFET作为开关元件,控制电流的通断,确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中,MOSFET用于控制电机的启动、停止和速度调节。SI3454ADV-T1-E3的快速开关特性和低导通电阻使其适合驱动小型直流电机或步进电机,尤其是在需要频繁启停或调速的应用场景中,如电动工具、家用电器等。 3. 负载开关 该MOSFET可用作负载开关,用于控制不同负载(如LED灯、传感器、通信模块等)的供电。通过控制栅极电压,可以实现对负载的精确控制,确保系统在待机或关机状态下不消耗不必要的电流,从而延长电池寿命。 4. 保护电路 在过流保护、短路保护等安全电路中,SI3454ADV-T1-E3可以作为保护元件使用。当检测到异常电流时,MOSFET会迅速切断电流路径,防止损坏下游电路或设备。其低导通电阻和快速响应时间使其成为理想的保护元件。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中,如车载充电器、车载逆变器、车身控制系统等,SI3454ADV-T1-E3可用于电源管理和信号切换。其抗电磁干扰能力强,能够在恶劣的汽车环境中稳定工作。 6. 消费电子产品 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中,该MOSFET可用于电源管理、电池保护、USB接口控制等。其小尺寸封装(TSSOP-6)使得它非常适合空间受限的应用。 总之,SI3454ADV-T1-E3凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、保护电路等领域,特别适用于对效率和空间有较高要求的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-TSOPMOSFET 30V 4.5A 0.06Ohm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71108 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3454ADV-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI3454ADV-T1-E3SI3454ADV-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.14 W |
Pd-功率耗散 | 1.14 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 4.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | SI3454ADV-T1-E3DKR |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 1.14W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.4A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI3454ADV-E3 |