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Datasheet下载- 型号： SI3440DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3440DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3440DV-T1-E3价格参考。VishaySI3440DV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 1.2A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP。您可以下载SI3440DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3440DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3440DV-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几类： 1. 电源管理 SI3440DV-T1-E3常用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中。它能够高效地控制电流的通断，降低功耗并提高转换效率。该器件的低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高频率切换时表现出色，特别适合于需要高效能和小尺寸设计的应用。 2. 电机驱动 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，MOSFET用于控制电机的速度和方向。SI3440DV-T1-E3的快速开关特性和低损耗特性使其成为这些应用的理想选择。它可以承受较高的电流负载，并且具有良好的热稳定性，确保长时间稳定运行。 3. 负载开关 该器件可以作为负载开关使用，用于保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。通过快速切断电流路径，它可以有效防止系统损坏，同时保持较低的压降，从而减少能量损失。 4. 信号切换 在通信设备和数据传输系统中，MOSFET可以用作信号切换元件。SI3440DV-T1-E3的低栅极电荷（Qg）特性使得它能够在高速信号切换中表现优异，适用于USB接口、网络交换机等设备中的信号路由控制。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中，如车载充电器、LED照明、电动助力转向（EPS）等，SI3440DV-T1-E3因其可靠的性能和耐高温能力而被广泛应用。它能够承受车辆环境中的温度波动和振动，确保系统的稳定性和安全性。 6. 便携式设备 对于智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品，MOSFET用于电源管理和电池充电控制。SI3440DV-T1-E3的小封装和低功耗特性使其非常适合这些对空间和能耗要求严格的应用。 总之，SI3440DV-T1-E3凭借其出色的电气性能和可靠性，在多种电力电子应用场景中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOPMOSFET 150V 1.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3440DV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3440DV-T1-E3SI3440DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 375 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 375 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 375 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3440DV-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 4.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3440DV-E3 |
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