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Datasheet下载- 型号： SI3440DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3440DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3440DV-T1-E3价格参考。VishaySI3440DV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 1.2A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP。您可以下载SI3440DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3440DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI3440DV-T1-E3 是一款由 Silicon Laboratories 生产的高效、低功耗同步整流降压稳压器，广泛应用于需要高效率电源管理的场景。它具有以下主要特点： 1. 高效率：SI3440DV-T1-E3 采用同步整流技术，能够显著提高电源转换效率，减少能量损耗。其工作电压范围为 4.5V 至 60V，适用于多种输入电压环境。 2. 低静态电流：该器件在轻载条件下具有极低的静态电流（典型值为 7µA），非常适合电池供电设备或需要长时间待机的应用。 3. 宽输出电流范围：支持高达 2A 的连续输出电流，适用于多种负载需求。 4. 内置保护功能：包括过温保护、短路保护和过流保护，确保系统在异常情况下仍能安全运行。 应用场景 1. 工业自动化：在工业控制系统中，SI3440DV-T1-E3 可以为传感器、执行器和其他低功耗设备提供稳定高效的电源，特别是在需要长寿命和高可靠性的场合。 2. 通信设备：适用于基站、路由器等通信设备，提供稳定的电源供应，确保通信系统的正常运行。其宽输入电压范围和高效率特性使其特别适合于电力波动较大的户外环境。 3. 汽车电子：可用于车载信息娱乐系统、导航设备和高级驾驶辅助系统（ADAS）。其宽输入电压范围和低静态电流特性使其能够在汽车启动和怠速状态下保持高效工作。 4. 物联网（IoT）设备：对于依赖电池供电的 IoT 设备，如智能传感器、可穿戴设备等，SI3440DV-T1-E3 的低静态电流和高效率可以延长电池寿命，减少维护频率。 5. 便携式医疗设备：在便携式医疗设备中，如血糖仪、心率监测仪等，该器件可以提供稳定的电源供应，同时降低功耗，确保设备长时间稳定工作。 总之，SI3440DV-T1-E3 凭借其高效率、低静态电流和多种保护功能，适用于各种对电源管理和功耗有严格要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOPMOSFET 150V 1.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3440DV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3440DV-T1-E3SI3440DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 375 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 375 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 375 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3440DV-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 4.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3440DV-E3 |
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