Datasheet下载- 型号： SI3434DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3434DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3434DV-T1-E3价格参考。VishaySI3434DV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3434DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3434DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3434DV-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET适用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件，能够高效地控制电压和电流。 - 负载开关：用于动态控制电路的通断，确保设备在待机或关机状态下降低功耗。 - 电池管理：适用于便携式设备（如手机、平板电脑）中的电池保护和充放电控制。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：可用于驱动步进电机、直流无刷电机（BLDC）等，提供高效的开关性能。 - H桥电路：在双极性电机驱动应用中，作为H桥的一部分实现正反转控制。 3. 信号切换 - 高速信号切换：利用其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合音频信号切换、数据信号路由等场景。 - 多路复用器/解复用器：在需要切换不同输入输出路径的应用中表现优异。 4. 消费电子 - 笔记本电脑与平板电脑：用于内部电源分配和管理，支持高效节能设计。 - 智能家居设备：如智能灯泡、智能插座等，提供可靠的功率控制。 - USB充电端口保护：防止过流、短路等问题，同时优化充电效率。 5. 工业应用 - 传感器接口：为传感器供电并保护电路免受过载影响。 - 工业控制器：用于PLC（可编程逻辑控制器）和其他工业自动化设备中的功率控制模块。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器、显示屏背光驱动等。 - 辅助驾驶系统：支持ADAS（高级驾驶辅助系统）中的功率管理需求。 特点总结 SI3434DV-T1-E3具有低导通电阻（典型值为1.2mΩ）、高电流能力（连续漏极电流可达80A）以及出色的热性能，使其非常适合低功耗、高效率的应用场合。同时，其小尺寸封装（TrenchFET Gen IV技术）也便于在空间受限的设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOPMOSFET 30V 6.1A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71610 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3434DV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3434DV-T1-E3SI3434DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 34 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 34 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 1mA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 6.1A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3434DV-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3434DV-E3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
