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SI3433BDV-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3433BDV-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3433BDV-T1-E3价格参考。VishaySI3433BDV-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP。您可以下载SI3433BDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3433BDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3433BDV-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电源管理和信号切换电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:该MOSFET适用于开关电源中的同步整流、降压或升压转换器,能够高效地控制电流流动,减少功率损耗。 - 电池管理系统:用于锂电池或其他类型电池的充放电保护电路中,确保电池在安全范围内工作,防止过充、过放等问题。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:如无刷直流电机(BLDC)驱动器、步进电机控制器等,MOSFET可以快速响应控制信号,实现精确的速度和位置控制。 - 风扇控制:用于消费电子设备中的散热风扇控制,通过PWM(脉宽调制)调节风扇转速,保持系统温度稳定。 3. 负载开关 - USB端口保护:在移动设备、笔记本电脑等产品中,MOSFET作为负载开关,用于保护USB端口免受过流、短路等异常情况的影响。 - 电源通断控制:在需要频繁开启和关闭电源的应用中,MOSFET可以快速切换电源路径,确保系统的稳定性和可靠性。 4. 信号切换 - 多路复用器/解复用器:在通信设备、测试仪器等领域,MOSFET可用于切换不同的信号路径,实现多路信号的选择与传输。 - 模拟开关:用于音频、视频等模拟信号的切换,确保信号传输的低噪声和高保真度。 5. 汽车电子 - 车载电源系统:如汽车充电系统、LED灯驱动等,MOSFET能够在高温、高振动环境下稳定工作,满足汽车电子对可靠性的要求。 - 车身控制模块:用于车窗升降、座椅调节等控制系统,确保操作的安全性和响应速度。 总结 SI3433BDV-T1-E3凭借其低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性,在电源管理、电机驱动、负载开关、信号切换以及汽车电子等多个领域有着广泛的应用。其出色的性能使其成为众多工程师在设计高效、可靠电路时的首选器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOPMOSFET 20V 4.3A 2W 17 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71160 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3433BDV-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI3433BDV-T1-E3SI3433BDV-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
Pd-功率耗散 | 1.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 42 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 45 ns |
下降时间 | 45 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 850mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 5.6A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | SI3433BDV-T1-E3CT |
典型关闭延迟时间 | 80 ns |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI3433BDV-E3 |