ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI2365EDS-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI2365EDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2365EDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2365EDS-T1-GE3价格参考￥0.47-￥0.47。VishaySI2365EDS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 5.9A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） TO-236。您可以下载SI2365EDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2365EDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.9 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?63199 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2365EDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2365EDS-T1-GE3SI2365EDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| Qg-GateCharge | 13.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 32 us |
| 下降时间 | 21 us |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 4A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-236 |
| 其它名称 | SI2365EDS-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 62 us |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.9A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4816DY-T1-E3-S |
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