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详细数据请看参考数据手册

型号： SI2343DS-T1
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2343DS-T1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2343DS-T1价格参考。VishaySI2343DS-T1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2343DS-T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2343DS-T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI2343DS-T1是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   SI2343DS-T1常用于电源管理系统中的DC-DC转换器、降压/升压转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高效率。在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中，该MOSFET可以有效降低功耗，延长电池寿命。

 2. 电机驱动
   在小型电机驱动应用中，如无人机、电动工具和家用电器（如吸尘器、风扇等），SI2343DS-T1能够提供高效、可靠的开关性能。其快速开关速度和低损耗特性使其特别适合高频PWM（脉宽调制）控制，从而实现精确的速度和扭矩控制。

 3. 负载切换
   该MOSFET适用于负载切换电路，例如在汽车电子系统中用于控制车灯、雨刷器等负载的通断。其低导通电阻和高耐压能力（Vds = 30V）确保了在大电流条件下也能稳定工作，同时减少了发热问题。

 4. 保护电路
   SI2343DS-T1可用于过流保护、短路保护等电路设计。通过检测电流并通过MOSFET快速切断电路，可以防止过载或短路对其他元件造成损坏。其内置的体二极管还可以在反向电压情况下提供一定的保护功能。

 5. 音频放大器
   在D类音频放大器中，MOSFET作为开关元件，负责将输入信号转换为输出功率。SI2343DS-T1的快速开关特性和低导通电阻有助于提高音频质量，减少失真和噪声。

 6. 太阳能逆变器
   在太阳能逆变器中，MOSFET用于将直流电转换为交流电。SI2343DS-T1的高效开关性能和低损耗特性使其成为逆变器中关键的功率开关元件，有助于提高能源转换效率。

总之，SI2343DS-T1凭借其优异的电气性能和可靠性，在电源管理、电机驱动、负载切换、保护电路等多个领域有着广泛的应用，尤其适用于需要高效、低损耗和快速响应的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI2343DS-T1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	540pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	21nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	53 毫欧 @ 4A，10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	750mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.1A （Ta）