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Datasheet下载- 型号： SI2343DS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2343DS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2343DS-T1-E3价格参考。VishaySI2343DS-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2343DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2343DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2343DS-T1-E3 是一款单通道 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 SI2343DS-T1-E3 常用于电源管理系统中，特别是在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和线性稳压器等应用中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持较低的功耗，从而提高电源转换效率。此外，它还适用于电池充电电路，帮助实现高效的能量传输。 2. 电机控制 在电机驱动和控制电路中，SI2343DS-T1-E3 可以作为功率级元件，用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。其快速开关特性和低损耗特性使其成为电机控制的理想选择，尤其是在需要频繁启停或调速的应用中。 3. 负载开关 该 MOSFET 也常用于负载开关应用，如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中。它能够快速响应负载变化，并且在关断状态下提供极低的泄漏电流，有助于延长电池寿命。 4. 保护电路 SI2343DS-T1-E3 还可用于过流保护、短路保护和热插拔保护等电路中。其内置的体二极管可以在反向电压情况下提供一定的保护作用，同时其快速的开关速度也有助于在异常情况下迅速切断电流，防止损坏其他电路元件。 5. 通信设备 在通信设备中，如基站、路由器和交换机等，SI2343DS-T1-E3 可用于电源分配网络中的开关和调节功能。它的低导通电阻和高频率特性使其非常适合这些对效率和响应速度要求较高的应用。 总结 SI2343DS-T1-E3 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机控制、负载开关、保护电路以及通信设备等领域。其低导通电阻、快速开关特性和紧凑的封装形式，使得它成为许多高性能电力电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72079 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2343DS-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2343DS-T1-E3SI2343DS-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 53 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 53 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 53 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2343DS-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2343DS-E3 |
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