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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2325DS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2325DS-T1-GE3价格参考¥1.98-¥1.98。VishaySI2325DS-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 150V 530mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载SI2325DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2325DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 150V 530MA SOT-23MOSFET 150V 0.69A 1.25W 1.2ohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 530 mA |
Id-连续漏极电流 | 530 mA |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2325DS-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI2325DS-T1-GE3SI2325DS-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 750 mW |
Pd-功率耗散 | 750 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 500mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | SI2325DS-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 750mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 530mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI2325DS-GE3 |