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  • 型号: SI2325DS-T1-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2325DS-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2325DS-T1-E3价格参考。VishaySI2325DS-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI2325DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2325DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3MOSFET 150V 0.69A 0.75W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

530 mA

Id-连续漏极电流

530 mA

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2325DS-T1-E3TrenchFET®

数据手册

http://www.vishay.com/doc?73238

产品型号

SI2325DS-T1-E3SI2325DS-T1-E3

Pd-PowerDissipation

750 mW

Pd-功率耗散

750 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

- 150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

510pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.2 欧姆 @ 500mA,10V

产品目录页面

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产品种类

P-Channel MOSFETs

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

SI2325DS-T1-E3CT

功率-最大值

750mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

530mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI2325DS-E3

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