ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI2324DS-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI2324DS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2324DS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2324DS-T1-GE3价格参考。VishaySI2324DS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） 。您可以下载SI2324DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2324DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2324DS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：SI2324DS-T1-GE3 可用作同步整流器或开关管，在降压、升压或升降压转换器中提供高效的功率传输。 - 负载开关：在便携式设备中，用于动态控制电路的通断，降低功耗并保护电路。 - 电池管理系统 (BMS)：用于锂电池保护电路，防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于风扇、泵或伺服电机等小功率电机的驱动电路，提供高效的开关性能。 - H 桥电路：作为 H 桥中的开关元件，实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于电源管理和音频放大器的负载切换。 - USB 充电端口保护：通过快速开关特性，防止过流或短路对设备造成损害。 4. 通信设备 - 信号切换：在射频 (RF) 和基带信号切换中，利用其低电容和快速开关能力。 - 基站功率分配：用于高效分配和管理基站内的功率。 5. 工业应用 - 逆变器和变频器：在中小功率逆变器中，作为开关元件实现 PWM 控制。 - 传感器接口：用于驱动或保护传感器电路，确保信号的稳定性和可靠性。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器、显示屏背光驱动等。 - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节等，提供可靠的开关和保护功能。 特点总结 - 低 Rds(on)：减少导通损耗，提高效率。 - 高频率开关能力：适合高频应用，降低电磁干扰 (EMI)。 - 小型封装：节省 PCB 空间，适合紧凑设计。 综上所述，SI2324DS-T1-GE3 广泛应用于需要高效功率转换、快速开关和小尺寸解决方案的各种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI2324DS-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 234 毫欧 @ 1.5A， 10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A （Tc） |
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